Halvledardivisionen Samsung Foundry meddelade att de har startat produktion av 3nm-chips vid sin fabrik i Hwasong. Till skillnad från föregående generation, som använde FinFet-teknik, använder den koreanska jätten nu GAA (Gate-All-Around) transistorarkitektur, vilket avsevärt ökar energieffektiviteten.
3nm-chip med MBCFET (Multi-Bridge-Channel) GAA-arkitekturen kommer att få högre energieffektivitet, bland annat genom att minska matningsspänningen. Samsung använder också nanoplate-transistorer i halvledarchips för högpresterande smarttelefonchipset.
Fotogalerie
Jämfört med nanotrådsteknik möjliggör nanoplåtar med bredare kanaler högre prestanda och bättre effektivitet. Genom att justera bredden på nanoplattorna kan Samsung-klienter skräddarsy prestanda och strömförbrukning efter deras behov.
Du kan vara intresserad av
Jämfört med 5nm-chips, enligt Samsung, har de nya 23 % högre prestanda, 45 % lägre energiförbrukning och 16 % mindre yta. Deras 2:a generation ska då erbjuda 30 % bättre prestanda, 50 % högre effektivitet och en 35 % mindre yta.
"Samsung växer snabbt när vi fortsätter att visa ledarskap i tillämpningen av nästa generations teknologier inom tillverkning. Vi siktar på att fortsätta detta ledarskap med den första 3nm-processen med MBCFETTM-arkitekturen. Vi kommer att fortsätta att aktivt förnya oss i konkurrenskraftig teknikutveckling och skapa processer som hjälper till att påskynda uppnåendet av teknisk mognad.” sa Siyoung Choi, chef för Samsungs halvledarverksamhet.
