Prag, 20 mars 2015 - Samsung Electronics Co., Ltd., världsledande inom avancerad minnesteknik, introducerar högpresterande 128 GB 3bit NAND-lagring för mobila enheter, som är baserad på Embedded MultiMedia-teknikCard (eMMC) 5.0. Flaggskepp bland smartphones byter redan till 128 GB minneslagring baserat på Universal Flash Storage (UFS) 2.0- eller EMMC 5.1-standarder. På samma sätt kommer även smartphones i mellanklassen nu att kunna öka sin kapacitet till 128 GB tack vare det nya förvaret Samsung 3bit NAND eMMC 5.0. Detta minneschip har den största kapaciteten inom eMMC 5.0-standarden.
"Med lanseringen av vår NAND-baserade 3bit eMMC 5.0-serie förväntar vi oss att leda vägen i utbyggnaden av mobil lagring med hög kapacitet. Vi fortsätter att utveckla vårt mobila minneserbjudande med förbättrad prestanda och högre kapacitet för att möta växande kundefterfrågan inom mobiltelefonbranschen." sa Dr. Jung-Bae Lee, senior vice president för minnesproduktplanerings- och applikationsteknikteamet på Samsung Electronics.
Sekventiell läsning data från den nya 128 GB eMMC 5.0-lagringen från Samsung körs i snabb takt 260 MB / s. Detta är samma prestanda som det NAND-baserade MLC eMMC 5.1-minnet. Slumpmässig läs- och skrivprestanda je 6000 IOPSresp. 5000 IOPS, som är tillräckligt snabb för att stödja högupplösta videor och avancerade multitasking-funktioner. Jämfört med externa minneskort är dessa läs- och skrivhastigheter ca 4 gånger a 10 gånger högre.
Den nya 3bit eMMC 5.0-serien utökar Samsungs verksamhet från att leverera SSD:er för datacenter, servrar och PC:er till hela marknaden för mobillagring. Samsung kommer att fortsätta att introducera 3-bitars NAND Flash-minnen genom utveckling av högpresterande och högkapacitetslösningar, samt fortsätta att stärka konkurrenskraften för sin minnesteknologiverksamhet.
//
//
