Samsung började idag massproduktion av sina nya DDR3 DRAM-moduler med en 20 nanometers tillverkningsprocess. Dessa nya moduler har en kapacitet på 4Gb, det vill säga 512MB. Det tillgängliga minnet för enskilda moduler är dock inte deras primära funktion. Framstegen ligger just i användningen av en ny produktionsprocess, vilket resulterar i upp till 25 % lägre energiförbrukning jämfört med den äldre, 25 nanometerprocessen.
Övergången till 20-nm-teknik är också det sista steget som skiljer företaget från att starta produktionen av minnesmoduler med 10-nm-processen. Tekniken som för närvarande används för nya moduler är också den mest avancerade på marknaden och kan användas inte bara med datorer utan även med mobila enheter. För datorer innebär det att Samsung nu kan skapa chips med samma storlek, men med ett betydligt större driftsminne. Samsung var också tvungen att modifiera sin befintliga teknik för att kunna göra chipsen mindre med bibehållen nuvarande tillverkningsmetod.
- Du kanske är intresserad av: Samsung har utvecklat det första 8Gb LPDDR4 mobila DRAM-minnet
