Prag, 7 januari 2014 – Samsung, världsledande inom minnesteknik och tillverkning, har introducerat den första 8Gb mobilt minne DRAM s låg energiförbrukning LPDDR4 (låg effekt dubbel datahastighet 4).
"Denna nya generation LPDDR4 DRAM kommer avsevärt att bidra till den snabbare tillväxten av den globala mobila DRAM-marknaden, som snart kommer att stå för den största andelen av hela DRAM-marknaden,” sa Young-Hyun May, Executive Vice President för Business and Marketing för Memory Division av Samsung Electronics. "Vi kommer att sträva efter att ständigt ligga steget före andra tillverkare och fortsätta att introducera de mest avancerade mobila DRAM:erna så att globala tillverkare kan lansera nya mobila enheter på kortast möjliga tidsram”, tillade Young-Hyun May.
Med sina funktioner som högre minnestäthet, hög prestanda och energieffektivitet kommer Samsung DRAM LPDDR4 mobilminnen att göra det möjligt för slutanvändare att använda Avancerad applikationer snabbare och smidigare och även njuta högre upplösning visa med mindre batteriförbrukning.
Nya Samsung DRAM LPDDR4 mobilminnen med en kapacitet på 8Gb produceras 20nm produktionsteknik och erbjuder en kapacitet på 1 GB på ett chip, vilket för närvarande är den högsta tätheten av DRAM-minnen. Med fyra chips, var och en med en kapacitet på 8 Gb, kommer ett enda fodral att ge 4 GB LPDDR4, den högsta prestandanivån som finns.
Dessutom använder LPDDR4 en lågspänning Lågspänningssvingterminerad logik (LVSTL) I/O-gränssnitt, som Samsung ursprungligen designade för JEDEC. De nya chipsen uppnår överföringshastigheter på upp till 3 Mbps, vilket är dubbelt så hög hastighet som för närvarande producerade LPDDR3 DRAMs. Dock samtidigt förbrukar cirka 40 % mindre energi vid en spänning på 1,1 V.
Med det nya chippet planerar Samsung att inte bara fokusera på premiummobilmarknaden, inklusive UHD smartphones med en stor display, men också på Tablety a ultratunna bärbara datorer, som erbjuder en skärm fyra gånger högre än Full-HD-upplösning, och även hög kraftfulla nätverkssystem.
Samsung är en ledande utvecklare av mobil DRAM-teknik och är marknadsandelsledare inom mobilt DRAM med 4Gb och 6Gb LPDDR3. Företaget började erbjuda den tunnaste och minsta 3GB LPDDR3 (6Gb) i november och introducerar ett nytt 8Gb LPDDR4 DRAM 2014. Det 8Gb mobila DRAM-chippet kommer att expandera mycket snabbt på nästa generations mobila enhetsmarknad med DRAM-chips med hög kapacitet.
